Transistor di un solo atomo? Non più una chimera

Uno studio della University of New South Wales ha recentemente raggiunto il primo step di un importante traguardo che vede l’isolamento di un solo atomo di fosforo utilizzato come transistor, il più piccolo mai realizzato su un substrato di silicio posizionato su un tunnel o canale alla temperatura di -200°, punto dal quale gli elettroni non possono sfuggire.

Per avere un’idea delle dimensioni di cui si sta parlando consideriamo un processore Sandy Bridge-E composto da 2.3 miliardi di transistor sviluppati con architettura a 32 nm, tra le soluzioni più all’avanguardia in questo periodo tecnologico. Bene, le dimensioni dell’atomo di fosforo in questione sono dell’ordine di 0.1 nm, un valore che per i transistor significherebbe un salto tecnologico considerevole, atteso per gli esperti non prima del 2020:

Lo studio è ancora in una fase iniziale e la limitazione della bassissima temperatura a cui l’atomo deve trovarsi per ridurre la mobilità degli elettroni rappresenta lo scoglio più difficile da superare nello sviluppo di questa importante ricerca che è comunque giunta ad una meta storica per il livello di accuratezza dimostrata nel “controllo” di un singolo atomo.

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